ОАО "Шлиф-Пром"

Технология производства всех видов SiC, в принципе, аналогична, с той лишь разницей, что при получении зеленого карбида кремния в шихту добавляют поваренную соль, а при синтезе электротехнического SiC кристаллы последнего легируются алюминием, что сказывается на его механических и электрических свойствах. Химический состав зерна крупностью 100—200 мкм различных видов SiC.
Подробное описание всех переделов технологического процесса промышленного производства карбида кремния в соответствии с вышеприведенной схемой 1 представлено в работах.
Рост кристаллов SiC в промышленной электропечи. Применение карбида кремния в качестве абразивного материала определяет стремление получать его в виде крупных, плотных и изо-метричных кристаллов.
Рассмотрение продуктов синтеза SiC в различных зонах печи показывает, что крупность его кристаллов уменьшается от слоя, прилегающего к поверхности керна, где размер кристаллов 12— 15 мм, к наружным слоям (аморфу), в которых размеры кристаллов a-SiC не превышают нескольких микрон. Поэтому для получения крупных кристаллов температура керна поддерживается 2700— 2800 К-
По направлению к керну наблюдается «цепное» строение продукта, а у поверхности керна «цепочки» срастаются в более плотную массу.
В цепочках кристаллы SiC ориентированы определенным образом: базисные шестигранные пластинки кристаллов всегда направлены вдоль цепочек перпендикулярно оси печи, а направление оси С кристаллов всегда перпендикулярно направлению цепочки. В направлении верхней и боковых частей печи наблюдается обычно более крупная кристаллизация, чем в подовой ее части, в которой образуется мелкокристаллический продукт — аморф.
Наиболее вероятным механизмом роста кристаллов карбида кремния является участие в процессе газовой фазы, образующейся, в частности, при диссоциативном испарении SiC в зоне печи, прилегающей к керну, где температуры достигают 2670—2800 К> Диссоциативное испарение SiC у керна идет достаточно быстро и образующиеся пары Si2C и SiC2 перемещаются в зоны более низких температур, конденсируясь в виде SiCT на более мелких кристаллах, постепенно наращивая их размер.