ОАО "Шлиф-Пром"

Газы, образующиеся в самой горячей зоне печи, двигаясь в наружные зоны, обтекают кристаллы SiC. При определенных температурных условиях и радиальном движении газов из всей массы различно ориентированных кристаллов SiC в первую очередь разрушаться будут те, которые обтекаются газами по оси С, а расти — кристаллы, ориентированные гексагональными пластинками вдоль направления движения газов. Этим объясняется определенная  ориентация  кристаллов  в  промышленной  печи.
В подовой части печи шихта значительно плотнее и менее газо-проводна, чем в верхней и боковой ее частях, поэтому процесс роста кристаллов на поду тормозится и SiC в этой части печи обычно представлен мелкокристаллическими образованиями.
Анализируя результаты многочисленных исследований по росту кристаллов карбида кремния и учитывая результаты термодинамического анализа синтеза SiC, можно считать, что процесс карбидообразования в промышленной электропечи сопротивления лимитируется реакцией Si02T>)K + ЗС = SiC + 2СО, которая протекает вплоть до температуры 2800 К-
Рост кристаллов SiC в печи лимитируется образованием в наиболее горячей зоне печи (до 3200 К) паров SiC, SiC2 и Si2C 1см. реакции  и их конденсацией в виде SiCT на мелких кристаллах,  образующихся в соответствии с реакцией.
Получение SiC плазмохимическим методом. В последние годы все шире ведутся исследования технологии производства порошковых керамических материалов методом плазмохимии, при котором источником высоких температур являются горелки дуговой  и  индукционной  плазмы.
Советские ученые В. И. Ромась и И. Т. Селянко синтезировали на плазменной установке карбид кремния кубической модификации непосредственно из элементов (кремний и графит), из которых в стехиометрическом соотношении предварительно формовался электрод плотностью 1800—1860 кг/м3. Такой электрод выполнял роль катода, а анодом служили 3 медные секции, охлаждаемые водой. Получаемый таким способом продукт представлял собой порошок ?-SiC с размером частиц от долей до 8 мкм. Причем, массовая долР-БЮ в продуктах реакции составляла всего 40 %, а остальная часть материала представляла собой не-прореагировавшую шихту.