Последние новости
Популярное
| ||||||||||||
| ||||||||||||
Краткие новости
|
Планарные деформации приводят к появлению планарных трещин, напоминающих трещины спайности, однако развивающиеся также и по другим направлениям и отличающиеся большей плотностью на единицу поверхности. При увеличении нагрузки (для кварца и полевых шпатов — 30 000 мПа) планарные деформации выражаются наличием планарных э л е м е н т о в — очень тонких (1—2 мкм) включений стекла в минералах. Планарные деформации проявляются в разных минералах при неодинаковых условиях. Устойчивость минералов в этом отношении растет от каркасных силикатов к силикатам с одиночными тетраэдрами. При воздействии ударных нагрузок в 30 000 мПа на микроклин-пертит микроклин замещается диаплектовым стеклом, в то время как вростки альбита сохраняются. По мере нарастания ударной нагрузки изменяются оптические свойства минералов — уменьшается их показатель преломления и величина двулучепреломления, что и приводит в Конечном результате к полной изотропизации вещества и превращению минералов в диаплектовые стекла. Одним из бесспорных признаков импактного происхождения горной породы является нахождение в них высокобарных минералов. К ним относятся высокобарные полиморфные модификации кремнезема (коэсит и стишовит) и углерода (алмаз и лонсдейлит). Коэсит и алмаз встречаются, как известно, и в других породах, в то время как лонсдейлит, формирующийся, по данным Р. Е. Ханемана (1967), при 50 000 мПа и более, и стишовит, нижняя граница поля распространения которого проходит по линии 10 000 мПа — 400°С и И 500 мПа — 800°С, в продуктах земных геологических процессов не обнаружены. В тагамитах импактная природа породы устанавливается со значительным трудом. Поэтому наиболее надежный критерий распознавания — присутствие в них ксенолитов пород и минералов мишени с признаками ударного метаморфизма: планарных деформаций, процессов изотропизации, высокобарных минералов. |

На основании измерений термо-э. д. с. и электросопротивления Г.В. Самсоновым предлагается наличие в системе В_С еще одного карбида бора В13С, которому соответствует максимум на кривых пикнометрической плотности и микротвердости, превышающих значения этих характеристик у остальных карбидов.
А. И. Пустовойтенко и В. И. Ромась на основании проведенных ими термодинамических расчетов четырехкомпонентной системы продуктов разложения карбида кремния (Si, Si2, С, SiC) сделали вывод, что наиболее эффективным методом получения SiC с применением плазмоструйного реактора является проведение процесса в газовой фазе.